Pat
J-GLOBAL ID:200903039948950471
ヘテロ接合素子の製造方法および製造装置
Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (6):
深見 久郎
, 森田 俊雄
, 仲村 義平
, 堀井 豊
, 野田 久登
, 酒井 將行
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2003035237
Publication number (International publication number):2004247481
Application date: Feb. 13, 2003
Publication date: Sep. 02, 2004
Summary:
【課題】変換効率や発光効率が優れている電子デバイスを実現するために有用なヘテロ接合素子を、簡便かつ低コストで作製できる製造方法と製造装置を提供する。【解決手段】第2の有機材料を第2の溶媒に溶解した第2の溶液と、第1の溶媒に第1の有機材料を溶解又は分散した第1の溶液とを混合して、第2の有機材料の微粒子が前記第1の溶液中に分散した第3の溶液を形成する工程と、該第3の溶液を基板上に供給して前記第1の有機材料と前記第2の有機材料からなる微粒子の混合膜を形成する工程を備えたヘテロ接合素子の製造方法およびこれを利用した製造装置。【選択図】 図1
Claim (excerpt):
異種の有機材料が接することにより形成されるヘテロ接合面を含んだ機能層と、該機能層を介して形成される2つの電極を含むヘテロ接合素子の製造方法において、
前記機能層が、第1の有機材料を第1の溶媒に溶解又は分散した第1の溶液と、第2の有機材料を第2の溶媒に溶解又は分散した第2の溶液を混合し、第2の有機材料の微粒子が前記第1の溶液と第2の溶液の混合溶液中に分散した第3の溶液を形成する工程と、該第3の溶液を基板上に供給して前記第1の有機材料中に前記第2の有機材料の微粒子が分散した混合膜を形成する工程を備えたヘテロ接合素子の製造方法。
IPC (3):
H01L21/368
, H01L31/04
, H01L51/00
FI (3):
H01L21/368 L
, H01L31/04 D
, H01L29/28
F-Term (22):
5F051AA11
, 5F051BA13
, 5F051CB13
, 5F051CB15
, 5F051CB27
, 5F051CB30
, 5F051DA07
, 5F051FA03
, 5F051FA04
, 5F051FA06
, 5F051GA01
, 5F053AA06
, 5F053DD19
, 5F053FF01
, 5F053GG10
, 5F053LL01
, 5F053LL05
, 5F053LL06
, 5F053LL10
, 5F053PP03
, 5F053PP20
, 5F053RR13
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (2)
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有機半導体薄膜太陽電池
Gazette classification:公開公報
Application number:特願2000-265227
Applicant:科学技術振興事業団
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特開平4-044362
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