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J-GLOBAL ID：200903039952116591

半導体集積回路装置の製造方法

Inventor： 宮崎 浩 ,  森 和孝 ,  長谷川 昇雄 ,  寺澤 恒男 ,  田中 稔彦
Applicant, Patent owner： 株式会社日立製作所
Agent (1)： 筒井 大和
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000308320
Publication number (International publication number)：2002118049
Application date： Oct. 06, 2000
Publication date： Apr. 19, 2002
Summary：

【要約】【課題】 半導体集積回路装置の生産性を向上させる。【解決手段】 半導体集積回路装置の製造過程に応じて、メタルからなる遮光パターンを有するフォトマスクと、レジスト膜からなる遮光パターン7aを有するフォトマスクMR1とで使い分けて露光処理を行う。

Claim (excerpt)：

有機感光性樹脂を含む有機材料を露光光に対する遮光体として有する第1のフォトマスクと、金属膜を露光光に対する遮光体とする第2のフォトマスクとを、半導体集積回路装置の生産量または製造工程に応じて使い分けることを特徴とする半導体集積回路装置の製造方法。

IPC (7)：

H01L 21/027 ,  G03F 1/08 ,  G03F 7/20 521 ,  H01L 27/10 431 ,  H01L 21/8246 ,  H01L 27/112 ,  H01L 27/10 461

FI (6)：

G03F 1/08 J ,  G03F 7/20 521 ,  H01L 27/10 431 ,  H01L 27/10 461 ,  H01L 21/30 515 F ,  H01L 27/10 433

F-Term (11)：

2H095BA02 ,  2H095BA07 ,  2H095BC06 ,  5F046AA25 ,  5F046CB17 ,  5F046DA30 ,  5F083CR01 ,  5F083EP00 ,  5F083PR01 ,  5F083ZA13 ,  5F083ZA30