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J-GLOBAL ID：200903039959846803

半導体発光素子およびその製造方法ならびに半導体発光装置

Inventor：
澤木 宣彦

About 澤木 宣彦

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伊藤 茂稔

About 伊藤 茂稔

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小出 典克

About 小出 典克


Applicant, Patent owner：
澤木 宣彦

About 澤木 宣彦

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シャープ株式会社

About シャープ株式会社


Agent (1)： 深見 久郎
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2002186070
Publication number (International publication number)：2004031657
Application date： Jun. 26, 2002
Publication date： Jan. 29, 2004
Summary：
【課題】窒化物系半導体を用い、偏光方向が制御された垂直共振器型半導体レーザや、効率の高い垂直共振器型半導体レーザ、レゾナントキャビティー型発光素子等の半導体発光素子および該半導体発光素子を有する半導体発光装置を実用レベルで実現する。【解決手段】垂直共振器型である半導体発光素子は、シリコン基板1上に形成され(1-101)面を主面として有し窒化物半導体であるn-GaN層102と、n-GaN層102上に形成され下部クラッド層であるスペーサ層104と、スペーサ層104上に形成された量子井戸活性層105と、量子井戸活性層105上に形成され上部クラッド層であるスペーサ層107を有する。上記量子井戸活性層105の主面の面方位は(1-101)である。【選択図】 図2
Claim (excerpt)：
窒化物半導体を含む活性層と、該活性層を挟むクラッド層とを有し、前記活性層とクラッド層の積層方向に共振器を有する半導体発光素子において、前記活性層の主面の面方位が(1-101)であることを特徴とする半導体発光素子。
IPC (4)：
H01S5/183 ,  H01L21/205 ,  H01L33/00 ,  H01S5/343
FI (4)：
H01S5/183 ,  H01L21/205 ,  H01L33/00 C ,  H01S5/343 610
F-Term (53)：
5F041AA03 ,  5F041AA04 ,  5F041AA11 ,  5F041AA33 ,  5F041CA04 ,  5F041CA05 ,  5F041CA12 ,  5F041CA22 ,  5F041CA23 ,  5F041CA33 ,  5F041CA34 ,  5F041CA40 ,  5F041CA64 ,  5F041CA65 ,  5F041CA74 ,  5F041CA88 ,  5F041CB11 ,  5F041CB15 ,  5F041CB36 ,  5F041DA19 ,  5F041DA76 ,  5F041DB06 ,  5F041EE25 ,  5F045AA04 ,  5F045AB14 ,  5F045AC12 ,  5F045AC13 ,  5F045AF03 ,  5F045AF13 ,  5F045BB12 ,  5F045BB13 ,  5F045BB16 ,  5F045CA12 ,  5F045DA53 ,  5F045DB02 ,  5F045DB04 ,  5F073AA55 ,  5F073AA74 ,  5F073AA89 ,  5F073AB17 ,  5F073BA05 ,  5F073BA09 ,  5F073CA07 ,  5F073CB04 ,  5F073CB08 ,  5F073DA04 ,  5F073DA05 ,  5F073DA23 ,  5F073DA31 ,  5F073DA35 ,  5F073EA22 ,  5F073EA23 ,  5F073EA29
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (8)
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