Pat

J-GLOBAL ID：200903039960569600

新規多環式不飽和炭化水素誘導体及びその製造方法

Inventor： 緒方 寿幸
Applicant, Patent owner： 東京応化工業株式会社
Agent (1)： 阿形 明 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000148976
Publication number (International publication number)：2001328964
Application date： May. 19, 2000
Publication date： Nov. 27, 2001
Summary：

【要約】【課題】 波長160nm以下の放射線に対する透明性が優れ、かつ耐ドライエッチング性の良好な感放射線レジストを製造するためのモノマーとして有用な新規な多環式不飽和炭化水素誘導体を提供する。【解決手段】 一般式【化1】(式中のXは酸解離性溶解抑制基、Yは電子吸引性基、mは0又は1である)で表わされる多環式不飽和炭化水素誘導体である。

Claim (excerpt)：

一般式【化1】(式中のXは酸解離性溶解抑制基、Yは電子吸引性基、mは0又は1である)で表わされる多環式不飽和炭化水素誘導体。

IPC (9)：

C07C 67/343 ,  C07C 67/475 ,  C07C 69/753 ,  C07D307/20 ,  C07D307/60 ,  C07D309/12 ,  G03F 7/039 601 ,  C08F 32/00 ,  C08G 61/08

FI (9)：

C07C 67/343 ,  C07C 67/475 ,  C07C 69/753 C ,  C07D307/20 ,  C07D307/60 Z ,  C07D309/12 ,  G03F 7/039 601 ,  C08F 32/00 ,  C08G 61/08

F-Term (45)：

2H025AA00 ,  2H025AA09 ,  2H025AB16 ,  2H025AC08 ,  2H025AD01 ,  2H025AD03 ,  2H025BG00 ,  2H025BJ10 ,  4C037DA06 ,  4C037KA09 ,  4C062AA21 ,  4H006AA01 ,  4H006AA02 ,  4H006AB46 ,  4H006AB91 ,  4H006AC21 ,  4H006AC28 ,  4H006AC48 ,  4H006BM30 ,  4H006BM71 ,  4H006BT22 ,  4H006FC34 ,  4J032CA36 ,  4J032CA38 ,  4J032CA43 ,  4J032CA45 ,  4J032CA46 ,  4J032CA53 ,  4J032CB01 ,  4J032CB04 ,  4J032CE12 ,  4J100AK32Q ,  4J100AR11P ,  4J100BA02P ,  4J100BA15P ,  4J100BA20P ,  4J100BB07P ,  4J100BB17P ,  4J100BB18P ,  4J100BC04P ,  4J100BC09P ,  4J100BC53P ,  4J100CA01 ,  4J100CA04 ,  4J100JA38