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J-GLOBAL ID：200903039964298997

低電圧EEPROM/NVRAMトランジスターとその製造方法

Inventor：
小椋 正気

About 小椋 正気


Applicant, Patent owner：
小椋 正気

About 小椋 正気


Agent (1)： 田中 香樹 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998051220
Publication number (International publication number)：1999220044
Application date： Jan. 27, 1998
Publication date： Aug. 10, 1999
Summary：
【要約】 (修正有)【目的】 エレクトロンの注入効率を上げることにより,低電圧化成いは書き込み時間の短縮を図る。その低電圧高注入とFNトンネルを組み合わせることにより不揮発性のランダムアクセスメモリー動作を得る。【構成】 チャンネルホツトエレクトロンの速度方向の水平面に対し,垂直にフローテイングゲートを置くと同時に垂直面チャンネルの不純物分布を最適化した,垂直段差トランジスター構造を構成する。垂直ゲートとドレイン電圧の水平電界相乗効果と非散乱直進注入はエレクトロンのフローテイングゲートへの注入効率を高める。ビツト線の電圧選択により書き込み消去も同時に出来るNVRAMである。
Claim (excerpt)：
チャンネルからフローティングゲートへのチャンネルホツトエレクトロンの注入をより効率的に出来る、電気的にプログラム出来るメモリーデバイスで次の特徴を持つもの:ソースとドレイン間にチャンネルを持つ基板;前記のチャンネル領域とソース/ドレインの一部の上に電導層のフローティングゲート層があり,前記の基板とフローティングゲート層間に誘電層を持つ構造;前記フローティングゲート下の前記のチャンネルに水平と垂直な部分を両方持つもの
IPC (5)：
H01L 21/8247 ,  H01L 29/788 ,  H01L 29/792 ,  H01L 27/115 ,  H01L 27/105
FI (3)：
H01L 29/78 371 ,  H01L 27/10 434 ,  H01L 27/10 441
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (8)
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