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J-GLOBAL ID：200903039965900038
化合物半導体装置
Inventor：
,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
外川 英明
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995242245
Publication number (International publication number)：1997092881
Application date： Sep. 21, 1995
Publication date： Apr. 04, 1997
Summary：
【要約】【目的】本発明は信頼性の高い窒化物化合物半導体装置を提供することを目的とする。【構成】窒化物化合物半導体装置(100)の成長用基板(101)として導電性を有するアルミニウム酸化物を用いる。この基板に導電性を持たせるための一つの方法として不純物を添加する。【効果】基板に導電性があるため、積層構造における表面に現われていない内部層への電気的接触を取るためのエッチング処理などを必要としない。そのため、エピタキシャル層を加工することによる損傷を与えることなしに、素子を形成することができる。
Claim (excerpt)：
結晶性基板と、この結晶性基板上に形成された窒化物化合物半導体膜とを具備する化合物半導体装置において、前記結晶性基板が導電性を有するアルミニウム酸化物の多結晶からなることを特徴とする化合物半導体装置。
IPC (2)：
FI (2)：
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