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J-GLOBAL ID：200903039985521513
窒化ガリウム系化合物半導体受光素子
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
山本 秀策
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999178998
Publication number (International publication number)：2001007379
Application date： Jun. 24, 1999
Publication date： Jan. 12, 2001
Summary：
【要約】【課題】 390nm〜500nmの波長域の光に対する受光感度が改善された受光素子を提供する。【解決手段】 受光素子は、基板と、該基板の上に形成された積層構造と、を備えており、該積層構造が、少なくとも、n型窒化ガリウム系化合物半導体層と、p型窒化ガリウム系化合物半導体層と、該n型窒化ガリウム系化合物半導体層と該p型窒化ガリウム系化合物半導体層との間に配置された受光層と、を有している、窒化ガリウム系化合物半導体受光素子であって、該受光層は量子井戸構造を有しており、該量子井戸構造に含まれる量子井戸層がIn<SB>x</SB>Ga<SB>1-x</SB>N(0<x<1)なる組成を有し、且つ該量子井戸構造に含まれる障壁層がIn<SB>y</SB>Ga<SB>1-y-z</SB>Al<SB>z</SB>N(0≦y<1、0≦z≦1、y+z<1)なる組成を有している。
Claim (excerpt)：
基板と、該基板の上に形成された積層構造と、を備えており、該積層構造が、少なくとも、n型窒化ガリウム系化合物半導体層と、p型窒化ガリウム系化合物半導体層と、該n型窒化ガリウム系化合物半導体層と該p型窒化ガリウム系化合物半導体層との間に配置された受光層と、を有している、窒化ガリウム系化合物半導体受光素子であって、該受光層は量子井戸構造を有しており、該量子井戸構造に含まれる量子井戸層がIn<SB>x</SB>Ga<SB>1-x</SB>N(0<x<1)なる組成を有し、且つ該量子井戸構造に含まれる障壁層がIn<SB>y</SB>Ga<SB>1-y-z</SB>Al<SB>z</SB>N(0≦y<1、0≦z≦1、y+z<1)なる組成を有する、窒化ガリウム系化合物半導体受光素子。
F-Term (13)：
5F049MB07
, 5F049MB12
, 5F049NA01
, 5F049NB08
, 5F049QA16
, 5F049QA18
, 5F049SE05
, 5F049SE12
, 5F049SS01
, 5F049SS03
, 5F049SS04
, 5F049WA03
, 5F049WA05
