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J-GLOBAL ID：200903039987943326

プラズマ処理装置

Inventor： 山 崎 智 生
Applicant, Patent owner： 芝浦メカトロニクス株式会社
Agent (1)： 佐藤 一雄 (外3名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000146252
Publication number (International publication number)：2001326216
Application date： May. 18, 2000
Publication date： Nov. 22, 2001
Summary：

【要約】【課題】 真空容器内のプラズマ密度分布の均一化を図り得るプラズマ処理装置を提供する。【解決手段】 マイクロ波透過窓部材3を介して真空容器4の内部にマイクロ波を導入し、真空容器4内のプロセスガスにマイクロ波を照射してプラズマを発生させ、このプラズマを利用して被処理物7を処理する装置である。マイクロ波発生源にて生成されたマイクロ波を真空容器4の内部に導くためのマイクロ波導波管1であって、マイクロ波透過窓部材3に向けてマイクロ波を放射するための開口部11が形成されたマイクロ波導波管1を有する。開口部11から放射されるマイクロ波の放射量を開口部11の全体にわたって均一化するためにマイクロ波導波管1の内部に設けられた金属部材2を有する。

Claim (excerpt)：

マイクロ波透過窓部材を介して真空容器の内部にマイクロ波を導入し、前記真空容器内のプロセスガスにマイクロ波を照射してプラズマを発生させ、このプラズマを利用して被処理物を処理するようにしたプラズマ処理装置において、マイクロ波発生源にて生成されたマイクロ波を前記真空容器の内部に導くためのマイクロ波導波管であって、前記マイクロ波透過窓部材に向けてマイクロ波を放射するための開口部が形成されたマイクロ波導波管と、前記開口部から放射されるマイクロ波の放射量を前記開口部の全体にわたって均一化するために前記マイクロ波導波管の内部に設けられた金属部材と、を備えたことを特徴とするプラズマ処理装置。

IPC (5)：

H01L 21/3065 ,  C23F 4/00 ,  H01J 27/16 ,  H01J 37/08 ,  H05H 1/46

FI (5)：

C23F 4/00 D ,  H01J 27/16 ,  H01J 37/08 ,  H05H 1/46 B ,  H01L 21/302 B

F-Term (26)：

4K057DA11 ,  4K057DA16 ,  4K057DD03 ,  4K057DD08 ,  4K057DK03 ,  4K057DM06 ,  4K057DM29 ,  4K057DM35 ,  4K057DN01 ,  5C030DD02 ,  5C030DE10 ,  5C030DG09 ,  5F004AA01 ,  5F004BA09 ,  5F004BA20 ,  5F004BB11 ,  5F004BB14 ,  5F004BB18 ,  5F004BC08 ,  5F004BD01 ,  5F004CA03 ,  5F004DA01 ,  5F004DA17 ,  5F004DA18 ,  5F004DA24 ,  5F004DA26