プラズマ発生加工方法およびその装置

Inventor： ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：前田弘 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995080136
Publication number (International publication number)：1996064585
Application date： Apr. 05, 1995
Publication date： Mar. 08, 1996
Summary：

【要約】【目的】プラズマ中のイオンによるドライエッチングを精度良く行なえるようにする。【構成】真空チャンバ81内にガスコントローラ82より反応性ガスを導入してプラズマ発生領域にプラズマを発生させた後、真空チャンバ81内の試料台85に高周波電源87より高周波電力を印加してプラズマ中のイオンを試料台85に入射させることにより、試料台85上の試料に対してドライエッチングを行なう。主エッチング時には、(反応性ガスのガス圧)/(高周波電力の周波数)の値を小さくしてシース領域においてイオンが中性粒子に衝突して散乱する確率である散乱確率を小さくすることにより、イオン束のエネルギーを大きくすると共にイオン束の入射方向を試料台85に対して垂直な方向に揃える。オーバーエッチング時には、(反応性ガスのガス圧)/(高周波電力の周波数)の値を大きくして前記散乱確率を大きくすることにより、イオン束のエネルギーを小さくすると共にイオン束の入射方向を乱れさせる。

Claim (excerpt)：

真空チャンバ内に反応性ガスを導入してプラズマ発生領域にプラズマを発生させるプラズマ発生工程と、前記真空チャンバ内の試料台に高周波電力を印加して前記プラズマ中のイオンを前記試料台に入射させることにより、前記イオンに前記試料台上の試料に対して加工を行なわせるプラズマ加工工程とを備えたプラズマ発生加工方法であって、前記プラズマ加工工程において、(反応性ガスのガス圧)/(高周波電力の周波数)の値を変化させることにより、前記試料台側のシース領域において前記イオンが中性粒子に衝突して散乱する確率である散乱確率を変化させ、これにより、前記試料台に入射するイオン束のエネルギー及び該イオン束の入射方向を変化させることを特徴とするプラズマ発生加工方法。

IPC (3)：

H01L 21/3065 , H01L 21/31 , H05H 1/46

FI (2)：

H01L 21/302 C , H01L 21/302 E

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (5)

ドライエツチング方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平3-180835 Applicant：松下電器産業株式会社
ドライエッチング装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-135880 Applicant：東京エレクトロン株式会社, 株式会社東芝
特開平2-297928

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