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J-GLOBAL ID：200903039996924482
切り換え可能な多波長半導体レーザー
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
小堀 益
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992271961
Publication number (International publication number)：1993218577
Application date： Oct. 09, 1992
Publication date： Aug. 27, 1993
Summary：
【要約】 (修正有)【目的】二つまたはそれ以上の波長で光を同軸に放射するような半導体レーザーの構造を提供する。【構成】複数の層を含み、上記一つまたはそれ以上の層が担体閉じ込め (多量子井戸)活動層18を含み、上記層の上記活動領域内に含まれる少なくとも二つの閉じ込め領域 (量子井戸) は、第1の領域 (量子井戸) の一つの量子準位が第2の領域 (量子井戸) の別の量子準位と同一のエネルギー準位となるように形成される形式をなす多波長半導体レーザーである。二つの閉じ込め領域 (量子井戸) の間の量子準位の整列によって一つの領域からの担体の再結合が多の領域からの担体の再結合を増加させ、全体の効果はこれまで利用可能だった以上に均等な動作の短波長および長波長双方の出力強度となるレーザー案内層16,20内の適切な領域配置はまた所望する出力モード、例えば基本モードTE00に出力強度プロファイルを合致させることが容易となる。
Claim (excerpt)：
次のものを有する、少なくとも二つの異なる出力波長の間で切り換え可能な固体半導体レーザー:光路中に位置した半導体材料からなる複数の連続層を含む形式のレーザー本体であって、上記形式の層は少なくとも一つの方向に担体量子化領域を提供するものであり、それの少なくとも第1と第2の領域は上記第1の領域の一つの量子準位が上記第2の領域の異なる量子準位と同一のエネルギー準位になるように形成されたもの;電気バイアスがこれに印加された際に上記光路中で利得を提供するための手段;電気バイアスがこれに印加された際に上記光路中で損失を提供するための手段であって、これによって第1の電気バイアスが印加される場合に上記第2の領域内には存在しない上記第1の領域のエネルギー準位に対応する第1の波長に上記レーザーの出力を制限し、またこれによって上記第1の電気バイアスとは異なる第2の電気バイアスがこれに印加される場合に上記第1と第2の領域の両方に存在するエネルギー準位に対応する上記第1の波長とは異なる第2の波長に上記レーザーの出力を制限するもの。
Patent cited by the Patent：
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