炭素ナノチューブを用いるメモリ素子及びその製造方法

Inventor： , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：磯野道造
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2003030273
Publication number (International publication number)：2003264249
Application date： Feb. 07, 2003
Publication date： Sep. 19, 2003
Summary：

【要約】【課題】高い伝導度と高い熱放出度を有するCNTと、電荷貯蔵能力に優れたメモリセルとを備え、誤動作のない高速、高集積のメモリ素子及びその製造方法を提供する。【解決手段】基板と、前記基板上に所定間隔離隔して位置し、電圧が印加されるソース電極及びドレイン電極と、前記ソース電極とドレイン電極とを連結し、電子移動のチャンネルとなるCNTと、前記CNTの上部に位置し、前記CNTから流入する電荷を貯蔵するメモリセルと、前記メモリセルの上部と接触し、前記CNTから前記メモリセルに流入する電荷量を調節するゲート電極と、を備える。

Claim (excerpt)：

基板と、前記基板上に所定間隔離隔して位置し、電圧が印加されるソース電極及びドレイン電極と、前記ソース電極とドレイン電極とを連結し、電子移動のチャンネルとなる炭素ナノチューブと、前記炭素ナノチューブの上部に位置し、前記炭素ナノチューブから流入する電荷を貯蔵するメモリセルと、前記メモリセルの上部と接触し、前記炭素ナノチューブから前記メモリセルに流入する電荷量を調節するゲート電極と、を備えることを特徴とする炭素ナノチューブメモリ素子。

IPC (7)：

H01L 21/8247 , B82B 1/00 ZNM , B82B 3/00 , H01L 27/115 , H01L 29/06 601 , H01L 29/788 , H01L 29/792

FI (5)：

B82B 1/00 ZNM , B82B 3/00 , H01L 29/06 601 N , H01L 29/78 371 , H01L 27/10 434

F-Term (17)：

5F083EP17 , 5F083EP42 , 5F083ER11 , 5F083JA02 , 5F083JA04 , 5F083JA19 , 5F083JA32 , 5F083JA38 , 5F083JA39 , 5F083PR21 , 5F083PR34 , 5F101BA45 , 5F101BA47 , 5F101BC02 , 5F101BD13 , 5F101BH02 , 5F101BH16

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

自動整合プログラミングおよび消去領域を備えたNROMセル
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2000-306999 Applicant：サイファン・セミコンダクターズ・リミテッド
電界効果トランジスタ
Gazette classification：公表公報 Application number：特願2002-507461 Applicant：インフィネオンテクノロジーズアクチエンゲゼルシャフト

Article cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

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