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J-GLOBAL ID：200903040016806037

半導体装置の製造方法

Inventor： 滝山 真功
Applicant, Patent owner： 新日本製鐵株式会社
Agent (1)： 國分 孝悦
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998174304
Publication number (International publication number)：1999074212
Application date： Jun. 22, 1998
Publication date： Mar. 16, 1999
Summary：

【要約】【課題】ゲート絶縁膜と半導体基板との熱膨張率の差及び原子間結合距離の差に起因してゲート絶縁膜に生じる構造の歪みを解消して品質を改善する。【解決手段】ゲート絶縁膜2上に多結晶シリコン膜3を形成した後、多結晶シリコン膜3及びゲート絶縁膜2の双方を貫通するような導入条件で、多結晶シリコン膜3の全面にイオン種4をイオン注入する。ここで、イオン種4としては、リン(P)やホウ素(B)等のドーパントとなり得るもののみならず、アルゴン(Ar)等を用いてもよい。更に、イオン種に依存せず、ゲート絶縁膜に対するストッピングパワー(eV・cm2 ×10-15 /atoms )と注入イオン量(/cm2 )との積を、注入した前記イオン種全体に対して求めた総和が、5×10-5〜1×10-1(eV/atoms )の範囲内の値であれば、十分な改善効果が得られる。

Claim (excerpt)：

半導体基板上にゲート絶縁膜を形成する工程と、前記ゲート絶縁膜上に導電膜を形成する工程と、前記導電膜及び前記ゲート絶縁膜をイオン種が貫通する導入条件で、前記半導体基板に前記イオン種のイオン注入を行う工程と、前記イオン注入の後、前記半導体基板に熱処理を施す工程と、少なくとも前記導電膜をゲート電極形状に加工する工程とを有することを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (3)：

H01L 21/265 ,  H01L 29/78 ,  H01L 21/336

FI (6)：

H01L 21/265 Y ,  H01L 21/265 P ,  H01L 21/265 F ,  H01L 21/265 Q ,  H01L 29/78 301 P ,  H01L 29/78 301 G