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J-GLOBAL ID：200903040019415136

窒化ガリウム系化合物半導体及びその電極形成方法

Inventor： 中村 修二 ,  妹尾 雅之
Applicant, Patent owner： 日亜化学工業株式会社
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993039359
Publication number (International publication number)：1994232450
Application date： Feb. 02, 1993
Publication date： Aug. 19, 1994
Summary：

【要約】【目的】 窒化ガリウム系化合物半導体を用いた発光素子の発光出力を向上させるとともに、順方向電圧、順方向電流を下げて実用的な発光素子とする。【構成】 p型ドーパントがドープされた窒化ガリウム系化合物半導体上に、20μm以下の幅を有する電極を付着した後、該窒化ガリウム系化合物半導体を400°C以上でアニーリングすることにより電極を形成する。

Claim (excerpt)：

p型ドーパントがドープされた窒化ガリウム系化合物半導体上に、アニーリングによりオーミックコンタクトされるとともに、20μm以下の幅を有する電極が形成されていることを特徴とする窒化ガリウム系化合物半導体。

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

• 特開昭49-029771
  
• 特開昭49-029770
  
• 特開昭50-042785
  
• 特開昭51-035279