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J-GLOBAL ID：200903040022844820

半導体シリコン単結晶ウェーハの研磨方法

Inventor： 渡▼邊▲ 浩一郎
Applicant, Patent owner： 信越半導体株式会社
Agent (1)： 石原 詔二
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998214173
Publication number (International publication number)：2000049126
Application date： Jul. 29, 1998
Publication date： Feb. 18, 2000
Summary：

【要約】【課題】研磨後に電解アノード水を用いて水研磨を行うことによって研磨剤を用いた研磨時に発生した研磨剤に起因する金属汚染を、ウェーハ面をエッチングすることなく効率よく除去することができるようにした半導体シリコン単結晶ウェーハの研磨方法を提供する。【解決手段】半導体シリコン単結晶ウェーハに対して研磨剤を用いた研磨を行った後、電解アノード水を用いた水研磨を行うことによって当該ウェーハ表面から金属不純物を除去するようにした。

Claim (excerpt)：

半導体シリコン単結晶ウェーハに対して研磨剤を用いた研磨を行った後、電解アノード水を用いた水研磨を行うことによって当該ウェーハ表面から金属不純物を除去することを特徴とする半導体シリコン単結晶ウェーハの研磨方法。

IPC (3)：

H01L 21/304 622 ,  H01L 21/304 ,  B24B 1/00

FI (3)：

H01L 21/304 622 P ,  H01L 21/304 622 C ,  B24B 1/00 A

F-Term (6)：

3C049AA01 ,  3C049AA04 ,  3C049AA09 ,  3C049AC04 ,  3C049CA01 ,  3C049CB03