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J-GLOBAL ID：200903040023293150

半導体レーザ

Inventor： 神里 武
Applicant, Patent owner： 三菱電機株式会社
Agent (1)： 早瀬 憲一
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993203089
Publication number (International publication number)：1995058402
Application date： Aug. 17, 1993
Publication date： Mar. 03, 1995
Summary：

【要約】【目的】 レーザ共振器端面近傍の領域に不純物を導入して窓構造を形成した半導体レーザにおいて、窓構造の領域を流れる無効電流を低減する。【構成】 活性層3の共振器端面近傍の領域の量子井戸構造を無秩序化した領域9を有するものにおいて、基板1及びコンタクト層5を、不純物の導入によって共振器端面近傍に形成された不純物導入領域を含んで形成される電流リークパスの一部の領域が除去されるよう、上記共振器端面15側から共振器長方向に所定量エッチング除去した構成とした。【効果】 レーザ動作時における無効電流を低減することができ、これにより、レーザ発振させて所望の光出力を得る時の動作電流が少く、低消費電力の半導体レーザを実現できる。

Claim (excerpt)：

量子井戸構造を有する活性層と、該活性層を挟んで配置された第1導電型下クラッド層及び第2導電型上クラッド層と、上記第1導電型下クラッド層と第1の電極との間に配置された第1の半導体層と、上記第2導電型上クラッド層と第2の電極との間に配置された第2の半導体層と、対向する一対の共振器端面とを有するファブリーペロー型の半導体レーザにおいて、レーザの共振器端面近傍の領域に不純物を導入することによって上記活性層の共振器端面近傍の領域の量子井戸構造を無秩序化して形成した窓構造を備え、かつ、上記第1,第2導電型半導体層が、上記不純物の導入によって共振器端面近傍に形成された不純物導入領域によって形成される電流リークパスの一部の領域が除去されるよう、上記共振器端面側から共振器長方向に所定量エッチング除去されていることを特徴とする半導体レーザ。