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J-GLOBAL ID：200903040027940924
半導体装置及び半導体装置の製造方法
Inventor：
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Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
安富 耕二 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996313852
Publication number (International publication number)：1998154810
Application date： Nov. 25, 1996
Publication date： Jun. 09, 1998
Summary：
【要約】【課題】 トレンチ型のパワーMOSFETの製造方法の改善に関する。【解決手段】 基板面の面方位が(100)であってオリエンテーション・フラット面10の面方位が(110)である一導電型の半導体基板11と、その表層に形成された一導電型のドレイン領域12と、その表層に設けられた逆導電型のチャネル領域13と、チャネル領域13とドレイン領域12とを貫通して形成された溝であって、その側壁の面方位がオリエンテーション・フラット面10に対して45°の角をなして(100)となり、かつ開口の角部が切除され、切除後に露出する面18の面方位が(110)となる溝17と、溝17の内壁及び角部を被覆するように設けられたゲート絶縁膜15と、ゲート絶縁膜15上に設けられ、溝17を充填するように形成されたゲート電極16と、溝17の近傍に設けられ、一導電型の不純物拡散層よりなるソース領域14とを有すること。
Claim (excerpt)：
基板面の面方位が(100)であってオリエンテーション・フラット面の面方位が(110)である一導電型の半導体基板と、前記半導体基板の表層に形成された一導電型のドレイン領域と、前記ドレイン領域の表層に設けられた逆導電型のチャネル領域と、前記チャネル領域と前記ドレイン領域とを貫通して形成された溝であって、その側壁の面方位が前記オリエンテーション・フラット面に対して45°の角をなして(100)となり、かつ開口の角部が切除され、切除後に露出する面の面方位が(110)となる溝と、前記溝の内壁及び前記角部を被覆するように設けられたゲート絶縁膜と、前記ゲート絶縁膜上に設けられ、前記溝を充填するように形成されたゲート電極と、前記溝の近傍に設けられ、一導電型の不純物拡散層よりなるソース領域とを有する事を特徴とする半導体装置。
IPC (2)：
FI (3)：
H01L 29/78 653 A
, H01L 29/78 652 K
, H01L 29/78 658 G
