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J-GLOBAL ID：200903040033847693

機能素子

Inventor： 渡 辺 浩 志
Applicant, Patent owner： 株式会社東芝
Agent (1)： 佐藤 一雄 (外3名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998246077
Publication number (International publication number)：2000077648
Application date： Aug. 31, 1998
Publication date： Mar. 14, 2000
Summary：

【要約】【課題】 オン/オフ時の抵抗比が従来の半導体素子並みに高いスウィッチング機能を有する機能素子を提案することにより、スピンエレクトロニクスの飛躍的な発展を実現することを目的とする。【解決手段】 臨界磁場を印加することにより電子スピンの秩序状態が第1の状態から、前記第1の状態とは異なる第2の状態に転移する活性領域に磁場を印加することにより電子スピンに特有な量子的な臨界現象を利用することができ、極めて高いオン/オフ比を有し、しかも極めてサイズの微小な機能素子を実現することができる。

Claim (excerpt)：

活性領域と、前記活性領域に磁場を印加する磁場発生手段と、を備え、前記磁場発生手段により発生させる磁場により前記活性領域の電気抵抗値を変化させる機能素子であって、前記活性領域は、磁場を印加することにより電子スピンの秩序状態が第1の状態から、前記第1の状態とは異なる第2の状態に転移するものとして構成されていることを特徴とする機能素子。