Pat

J-GLOBAL ID：200903040037272075

新規3-(1-低級アルケニル)フタリド誘導体及びこれを経由する3-低級アルキリデンフタリド誘導体の製造法。

Inventor： 小川 義光 ,  若松 武 ,  丸野 政雄 ,  磯野 正直
Applicant, Patent owner： 株式会社ツムラ
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994017736
Publication number (International publication number)：1995206844
Application date： Jan. 19, 1994
Publication date： Aug. 08, 1995
Summary：

【要約】【目的】 本発明は、ベンゼン環上の任意の位置に任意の数の水酸基あるいは低級アルコキシル基を有するZ型3-低級アルキリデンフタリド誘導体を立体選択的に合成することができ、しかも容易な方法にならしめるための中間体、およびその中間体を用いたの3-低級アルキリデンフタリド誘導体の製造方法を提供することを目的とする。【構成】 本発明は、下記式(1)(式中、R1は低級アルキル基、R2〜R5は同じに若しくは異なって水素原子、低級アルコキシル基、又は隣り合うもの同士が一緒になって次式(2)-O-R6-O- (2)(式中、R6は低級アルキレン基を表す。)を表す。)で示されるフタリド誘導体及びこれを経由するZ型3-低級アルキリデンフタリド誘導体を製造する方法である。

Claim (excerpt)：

下記式(1)(式中、R1は低級アルキル基、R2〜R5は同じに若しくは異なって水素原子、低級アルコキシル基、又は隣り合うもの同士が一緒になって次式(2)-O-R6-O- (2)(式中、R6は低級アルキレン基を表す。)を表す。)で示されるフタリド系化合物。

IPC (4)：

C07D307/88 ,  C07D493/04 101 ,  A61K 31/365 ADU ,  A61K 31/365 AED