Pat
J-GLOBAL ID：200903040055058102
半導体装置の製造方法
Inventor：
,
,
,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
野河 信太郎
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993015721
Publication number (International publication number)：1994232068
Application date： Feb. 02, 1993
Publication date： Aug. 19, 1994
Summary：
【要約】【目的】 低温で高高率な不純物濃度領域の作成を可能とする半導体装置の製造方法を提供する。【構成】 基板上に形成された半導体薄膜を3族元素あるいは5族元素を含む不純物ガスのプラズマ雰囲気中に維持し、前記半導体薄膜にエネルギービームの照射を行い前記プラズマ雰囲気中に含まれる不純物イオンの注入を行うことを特徴とする半導体装置の製造方法。
Claim (excerpt)：
基板上に形成された半導体層を3族元素あるいは5族元素を含む不純物ガスのプラズマ雰囲気中に維持し、前記半導体層にエネルギービームの照射を行い前記プラズマ雰囲気中に含まれる不純物イオンの注入を行うことを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (4)：
H01L 21/268
, H01L 21/22
, H01L 21/336
, H01L 29/784
