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J-GLOBAL ID:200903040056228915
発光異種核銅-イリジウム錯体及びこれを利用した有機電界発光素子
Inventor:
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Applicant, Patent owner:
Agent (6):
八田 幹雄
, 奈良 泰男
, 宇谷 勝幸
, 藤田 健
, 都祭 正則
, 長谷川 俊弘
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2007133497
Publication number (International publication number):2007308498
Application date: May. 18, 2007
Publication date: Nov. 29, 2007
Summary:
【課題】発光異種核銅-イリジウム錯体及びこれを利用した有機電界発光素子を提供する。【解決手段】高効率燐光を発する発光異種核銅-イリジウム錯体とこれを利用した有機電界発光素子を提供する。本発明の異種核銅-イリジウム錯体は、有機電界発光素子の有機膜形成時に利用可能であり、高効率の燐光材料として590〜630nmで発光するだけでなく、高い輝度と低い駆動電圧とを持つ。【選択図】図5
Claim (excerpt):
下記化学式1で表示される異種核銅(I)-イリジウム(III)錯体:
IPC (6):
C07F 19/00
, H01L 51/50
, C09K 11/06
, C07D 217/02
, C07D 231/12
, C07D 249/20
FI (6):
C07F19/00
, H05B33/14 B
, C09K11/06 660
, C07D217/02
, C07D231/12 Z
, C07D249/20 502
F-Term (29):
3K107AA01
, 3K107BB01
, 3K107BB02
, 3K107BB03
, 3K107BB06
, 3K107CC04
, 3K107CC06
, 3K107CC09
, 3K107DD53
, 3K107DD59
, 3K107DD60
, 3K107DD64
, 3K107DD67
, 3K107DD68
, 3K107DD69
, 4C034AA09
, 4H048AA01
, 4H048AA02
, 4H048AB92
, 4H048VA32
, 4H048VA56
, 4H048VB10
, 4H050AA01
, 4H050AA02
, 4H050AB92
, 4H050WB11
, 4H050WB13
, 4H050WB14
, 4H050WB21
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (2)
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発光多核銅錯体及びこれを利用した有機電界発光素子
Gazette classification:公開公報
Application number:特願2007-133519
Applicant:三星エスディアイ株式会社
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遷移金属錯体及び発光素子
Gazette classification:公開公報
Application number:特願2002-003832
Applicant:富士写真フイルム株式会社
Article cited by the Patent:
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