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J-GLOBAL ID：200903040064970175

磁気抵抗効果素子、磁気記録装置及び磁気抵抗効果素子の製造方法

Inventor： 岸 均 ,  菊地 英幸 ,  小林 和雄 ,  北出 康博 ,  小田切 充
Applicant, Patent owner： 富士通株式会社
Agent (1)： 岡本 啓三
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995086702
Publication number (International publication number)：1996129722
Application date： Apr. 12, 1995
Publication date： May. 21, 1996
Summary：

【要約】【目的】磁性層と銀膜を含む非磁性金属層とが積層されて磁場の変化を素子の抵抗率の変化に変換する磁気抵抗効果素子の製造方法に関し、耐熱性が高く、大きな磁気抵抗効果を有する磁気抵抗効果素子の製造方法を提供する。【構成】基板1上に、各層間に非磁性金属層4を挟んで配置される複数の磁性層3a,3bと、一つの磁性層3bと隣接し、その磁性層3bに一定方向の磁化を付与するバイアス磁性層5とを積層する磁気抵抗効果素子の製造方法において、成膜すべき非磁性金属層4の膜厚を設定し、非磁性金属層4にピンホールが生じない成膜温度の上限以下の温度範囲に基板1の温度を保持した状態で非磁性金属層4を形成する。

Claim (excerpt)：

基板上に磁性層と非磁性金属層とを積層する磁気抵抗効果素子の製造方法において、成膜すべき前記非磁性金属層の膜厚を設定し、該非磁性金属層にピンホールが生じない成膜温度の上限以下の温度範囲に前記基板の温度を保持した状態で前記非磁性金属層を形成することを特徴とする磁気抵抗効果素子の製造方法。

IPC (5)：

G11B 5/39 ,  H01F 10/08 ,  H01F 41/18 ,  H01L 43/08 ,  H01L 43/12

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

• 磁気抵抗効果型磁気ヘツドおよびその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平3-224346   Applicant：株式会社日立製作所
• 特開平4-236470