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J-GLOBAL ID：200903040065458320

歪量子井戸型半導体レーザ

Inventor： 石川 信
Applicant, Patent owner： 日本電気株式会社
Agent (1)： 京本 直樹 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993218292
Publication number (International publication number)：1995074425
Application date： Sep. 02, 1993
Publication date： Mar. 17, 1995
Summary：

【要約】【目的】 高信頼なGaAs基板上の0.7〜1.1μm帯歪量子井戸半導体レーザを実現する。【構成】 GaAs基板1と異なる格子定数を有するIn<SB>x </SB>Ga<SB>1 - x </SB>As、(あるいはIn<SB>x </SB>Ga<SB>1 - x </SB>As<SB>y </SB>P<SB>1 - y </SB>又はAl<SB>x </SB>Ga<SB>y </SB>In<SB>1 - x - y </SB>As)歪量子井戸型活性層3を持ち、かつストライプ状の発光領域に電流を狭窄する構造を持つダブルヘテロ型半導体レーザの発光ストライプ9を<-110>方向とした。発光ストライプ9をDLDが延びる方向と平行な<-110>方向に形成しているので、ストライプ外部に転位が存在しても通電によってDLDが発光ストライプ9に侵入することはない。従って簡便なスクリーニング工程により長時間安定に動作する素子を容易に選別することができ、高信頼な0.7〜1.1μm帯歪量子井戸レーザを実現する。

Claim (excerpt)：

基板と異なる格子定数を有する歪量子井戸型活性層を持ち、かつストライプ状の発光領域に電流を狭窄する構造を持つダブルヘテロ型半導体レーザにおいて、前記発光ストライプを<-110>方向としたことを特徴とする歪量子井戸型半導体レーザ。