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J-GLOBAL ID：200903040085129578

磁気抵抗効果素子

Inventor： 山野 耕治 ,  前田 篤志 ,  久米 実
Applicant, Patent owner： 三洋電機株式会社
Agent (1)： 目次 誠 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996196363
Publication number (International publication number)：1998041561
Application date： Jul. 25, 1996
Publication date： Feb. 13, 1998
Summary：

【要約】【課題】 非磁性導電層6が一対の強磁性層の間に挟まれた積層構造の磁性膜を有する磁気抵抗効果素子において、より高い感度の磁気抵抗効果素子を得る。【解決手段】 一対の強磁性層の少なくとも一方の強磁性層が酸化物材料から構成される酸化物強磁性層部分4を含むことを特徴としている。

Claim (excerpt)：

非磁性導電層が一対の強磁性層の間に挟まれた積層構造の磁性膜を有する磁気抵抗効果素子において、前記一対の強磁性層の少なくとも一方の強磁性層が酸化物材料から構成される酸化物強磁性層部分を含むことを特徴とする磁気抵抗効果素子。

IPC (2)：

H01L 43/08 ,  H01F 10/08

FI (3)：

H01L 43/08 M ,  H01L 43/08 Z ,  H01F 10/08