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J-GLOBAL ID：200903040085888231

固体撮像装置及びその製造方法

Inventor： 安海 貞二 ,  蜂谷 透
Applicant, Patent owner： 富士フイルムマイクロデバイス株式会社 ,  富士写真フイルム株式会社
Agent (1)： 高橋 敬四郎 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001125268
Publication number (International publication number)：2002319668
Application date： Apr. 24, 2001
Publication date： Oct. 31, 2002
Summary：

【要約】 (修正有)【課題】 撮像部とオプティカルブラック部との出力信号値の差を小さくして、黒色判定を精度良く行う。【解決手段】 撮像部B1とオプティカルブラック部B2とが画定される半導体基板11を準備し、その内に少なくとも一方向に整列配置され、それぞれに受光面を有する複数の光電変換素子22を形成し、半導体基板内に光電変換素子に近接する電荷転送チャネル17を形成し、その上に一方向に整列する電荷転送電極25aを形成し、撮像部上のそれぞれの受光面に開口部を有するとともに、オプティカルブラック部上のそれぞれの受光面には開口部を有しない金属遮光膜30aを形成し、その上に減圧CVD法又はプラズマCVD法により酸化シリコン膜、窒化シリコン膜又は酸化窒化シリコン膜33を形成し、その上にリフロー膜35aを堆積し、熱処理により平坦な上面を形成する。

Claim (excerpt)：

撮像を行うための撮像部と黒色判定を行うためのオプティカルブラック部とが画定される半導体基板を準備する工程と、前記撮像部と前記オプティカルブラック部とに亘って、少なくとも一方向に整列配置され、それぞれに受光面を有する複数の光電変換素子を形成する工程と、前記撮像部上のそれぞれの受光面に開口部を有するとともに、前記オプティカルブラック部上のそれぞれの受光面には開口部を有しない金属遮光膜を形成する工程と、該金属遮光膜を覆って減圧CVD法又はプラズマCVD法により酸化シリコン膜、窒化シリコン膜又は酸化窒化シリコン膜を含む第1の絶縁膜を形成する工程と、該第1の絶縁膜上にリフロー膜を堆積する工程と、該リフロー膜を熱処理によりリフローして、平坦な上面を有する第2の絶縁膜を形成する工程とを含む固体撮像装置の製造方法。

IPC (5)：

H01L 27/14 ,  H01L 21/316 ,  H01L 21/318 ,  H01L 31/10 ,  H04N 5/335

FI (6)：

H01L 21/316 A ,  H01L 21/318 A ,  H04N 5/335 S ,  H04N 5/335 U ,  H01L 27/14 D ,  H01L 31/10 A

F-Term (42)：

4M118AA05 ,  4M118AA06 ,  4M118AB01 ,  4M118BA13 ,  4M118CA03 ,  4M118CA32 ,  4M118DA03 ,  4M118EA20 ,  4M118FA06 ,  4M118FA26 ,  4M118GB03 ,  4M118GB11 ,  4M118GD04 ,  4M118GD07 ,  5C024CX32 ,  5C024CY47 ,  5C024GZ36 ,  5F049MA02 ,  5F049NB05 ,  5F049RA02 ,  5F049RA08 ,  5F049SZ12 ,  5F049SZ13 ,  5F049TA12 ,  5F049TA13 ,  5F058BA05 ,  5F058BA09 ,  5F058BA20 ,  5F058BD01 ,  5F058BD04 ,  5F058BD07 ,  5F058BD15 ,  5F058BF03 ,  5F058BF07 ,  5F058BF23 ,  5F058BF25 ,  5F058BF29 ,  5F058BF30 ,  5F058BF32 ,  5F058BF33 ,  5F058BH08 ,  5F058BJ10