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J-GLOBAL ID：200903040093541054

半導体ウェハー

Inventor： 宮脇 良誠
Applicant, Patent owner： 九州日本電気株式会社
Agent (1)： 京本 直樹 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992237946
Publication number (International publication number)：1994084731
Application date： Sep. 07, 1992
Publication date： Mar. 25, 1994
Summary：

【要約】【目的】ウェハー裏面からの不純物等による汚染とこすれによるごみの発生を防止する。【構成】ウェハーの裏面をエッチングして溝2を形成し、凹型形状とする。

Claim (excerpt)：

ウェハー裏面が凹型形状に形成されていることを特徴とする半導体ウェハー。