薄膜トランジスタおよびその製造方法

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：京本直樹 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994320806
Publication number (International publication number)：1996181318
Application date： Dec. 22, 1994
Publication date： Jul. 12, 1996
Summary：

【要約】【目的】レーザアニールポリシリコンTFTにおいて、ポリシリコン膜の平均結晶粒径とチャネル長との比を1/100〜1/50とすることにより、高い移動度を示したまま各TFT素子間のバラツキを小さくする。【構成】平均結晶粒径とチャネル長との比が1/100未満では結晶粒径が小さいために移動度は低い値となり、1/50を超えるときは、結晶粒径のバラツキが大きいために移動度のバラツキが大きくなり、どちらの条件においても実用には適さない。平均結晶粒径とチャネル長との比が1/100〜1/50のときに、高移動度でかつ高均一性を有する薄膜トランジスタが実現できる。

Claim (excerpt)：

絶縁性基板上に形成されたチャネル領域およびソース・ドレイン領域を構成するポリシリコン膜と、このポリシリコン膜上に形成されたゲート絶縁膜と、このゲート絶縁膜上に形成されたゲート電極とを有する薄膜トランジスタにおいて、少なくともチャネル領域部の前記ポリシリコン膜の平均結晶粒径とチャネル長との比が1/100〜1/50であることを特徴とする薄膜トランジスタ。

IPC (5)：

H01L 29/786 , H01L 21/336 , G02F 1/136 500 , H01L 21/268 , H01L 27/12

FI (2)：

H01L 29/78 618 Z , H01L 29/78 627 G

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

半導体装置の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-109149 Applicant：富士ゼロックス株式会社

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