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J-GLOBAL ID：200903040109996260

同軸型誘電体共振器及びその製造方法

Inventor： 高畑 興邦
Applicant, Patent owner： 株式会社トーキン
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995166928
Publication number (International publication number)：1996335810
Application date： Jun. 07, 1995
Publication date： Dec. 17, 1996
Summary：

【要約】【目的】 誘電体セラミック表面に下地層としCuめっき層を形成し、めっき膜付着強度が垂直引っ張り応力で2.0Kg/mm2で安定し、かつ実用上、十分大きいQuが得られる同軸型共振器の製造方法を提供すること。【構成】 高周波誘電体セラミック上に無電解めっきによりCu膜下地層を形成し、その上に、更にCu膜、あるいはAg膜、もしくは、その双方を無電解、あるいは電解めっきにより電極として形成してなる同軸型誘電体共振器では、めっきされるセラミック表面を超音波処理を加えながらエッチングを行い、セラミックの最大表面粗さRmax=1.0〜3.0μmとすることで、2.0Kg/mm2以上の垂直引っ張り強度を有し、かつ実用上、十分大きいQuを有する。

Claim (excerpt)：

高周波誘電体セラミック上にCu無電解めっき膜下地層を形成し、その上に更にCuもしくはAg、またはその双方を無電解もしくは電解めっきにより電極として形成してなる同軸型誘電体共振器において、めっきの前処理工程のエッチング処理過程でめっきされるセラミックの最大表面粗さRmax=1.0〜3.0μmであることを特徴とする同軸型誘電体共振器。

IPC (6)：

H01P 7/04 ,  C04B 35/46 ,  C04B 35/50 ,  C04B 41/91 ,  H01B 3/12 303 ,  H01P 11/00

FI (6)：

H01P 7/04 ,  C04B 35/50 ,  C04B 41/91 Z ,  H01B 3/12 303 ,  H01P 11/00 H ,  C04B 35/46 D