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J-GLOBAL ID:200903040115731022

ゼオライト層で被覆された基板を生成する方法

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (3): 尾崎 雄三 ,  梶崎 弘一 ,  谷口 俊彦
Gazette classification:公表公報
Application number (International application number):2007538346
Publication number (International publication number):2008517751
Application date: Oct. 29, 2005
Publication date: May. 29, 2008
Summary:
本発明は、金属を含む基板上にゼオライト層を生成する方法であって、数個の成分を含む水性懸濁液を生成する方法ステップであり、1つの成分は、周期表の第三、第四、第五主族の少なくとも1つの架橋元素を含み、前記金属を含む基板は、前記架橋元素の少なくとも1つを含む方法ステップと、前記水性懸濁液に、金属を含む前記基板を導入する方法ステップと、前記水性懸濁液、および該水性懸濁液中に存在する前記金属を含む基板を加熱して、前記金属を含む基板上にゼオライト層をインサイチュウで結晶化させる方法ステップであり、それによって、前記金属を含む基板中の架橋元素を引き出し、前記ゼオライト層に含ませ、前記ゼオライト層を形成するために前記懸濁液中に存在する架橋元素が、非常に低い濃度で存在して、前記懸濁液中での結晶化を大部分または完全に回避され、前記元素を前記基板によって主に供給される方法ステップと、を備えている。
Claim (excerpt):
金属を含む基板上にゼオライト層を生成する方法であって、以下の方法ステップを含む: (1.1)数個の成分を含む水性懸濁液を生成し、 (1.2)1つの成分は、周期表の第三、第四、第五主族または第一〜第八副族の少なくとも1つの架橋元素を含み、 (1.3)前記金属を含む基板は、前記架橋元素の少なくとも1つを含み、 (1.4)前記水性懸濁液に、前記金属を含む基板を導入し、 (1.5)前記金属を含む基板上にゼオライト層をインサイチュウで結晶化させるため、前記水性懸濁液、およびその中に存在する前記金属を含む基板を加熱して、前記金属を含む基板から架橋元素を引き出し、前記ゼオライト層に含ませ、 (1.6)前記ゼオライト層を形成するために前記懸濁液中に存在する架橋元素は、不十分に存在して、前記懸濁液中での結晶化を大部分または完全に回避し、前記元素を前記基板によって主にまたは完全に提供する。
IPC (8):
B05D 7/24 ,  C01B 39/54 ,  C01B 39/02 ,  C04B 41/87 ,  F28F 21/04 ,  B32B 15/04 ,  B05D 1/18 ,  B05D 7/14
FI (8):
B05D7/24 302B ,  C01B39/54 ,  C01B39/02 ,  C04B41/87 A ,  F28F21/04 ,  B32B15/04 Z ,  B05D1/18 ,  B05D7/14 101Z
F-Term (43):
4D075AB03 ,  4D075BB22Y ,  4D075BB23Y ,  4D075DA06 ,  4D075DB07 ,  4D075DC15 ,  4D075EA06 ,  4D075EA12 ,  4D075EB02 ,  4D075EB56 ,  4D075EC02 ,  4D075EC07 ,  4D075EC54 ,  4F100AB01A ,  4F100AB10A ,  4F100AB11A ,  4F100AB31A ,  4F100AC04B ,  4F100AD00A ,  4F100AT00A ,  4F100BA02 ,  4F100EH46 ,  4F100EJ42 ,  4F100GB51 ,  4F100JA11B ,  4F100JK06 ,  4F100JL11 ,  4F100JM01B ,  4G073BD06 ,  4G073CZ01 ,  4G073CZ57 ,  4G073CZ58 ,  4G073CZ59 ,  4G073FC03 ,  4G073FC13 ,  4G073FD02 ,  4G073FD17 ,  4G073FD20 ,  4G073FF07 ,  4G073GA03 ,  4G073GA09 ,  4G073GB03 ,  4G073UB60
Patent cited by the Patent:
Cited by applicant (3) Cited by examiner (4)
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