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J-GLOBAL ID：200903040116393791

リフトオフ法、リフトオフ装置、このリフトオフ法を用いて作成したTMR素子、および、このTMR素子を利用した磁気メモリ

Inventor： 小金井 昭雄
Applicant, Patent owner： キヤノン株式会社
Agent (1)： 金田 暢之 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001273518
Publication number (International publication number)：2003085965
Application date： Sep. 10, 2001
Publication date： Mar. 20, 2003
Summary：

【要約】【課題】 高い信頼性でサブミクロンサイズの微細加工が可能なリフトオフ法、このリフトオフ法を歩留まりよく行うためのリフトオフ装置、および、このリフトオフ法を用いて作成したTMR素子、このTMR素子を利用した磁気メモリを提供する。【解決手段】 本発明のリフトオフ法では、基板上にレジストマスクを形成し、その上から薄膜を成膜した後、液体を薄膜表面に付着させ、薄膜表面に付着させた液体、薄膜およびレジストマスクに対して温度変化を与えた後、レジストマスクをレジストマスク上の薄膜とともに剥離する。

Claim (excerpt)：

基板上にレジストマスクを形成し、その上から薄膜を成膜した後、レジストマスクをレジストマスク上の薄膜とともに剥離することで薄膜のパターニングを行うリフトオフ法であって、(i) 薄膜を成膜した後、液体を薄膜表面に付着させる第1工程と、(ii) 薄膜表面に付着させた液体、薄膜およびレジストマスクに対して温度変化を与える第2工程と、(iii) レジストマスクをレジストマスク上の薄膜とともに剥離する第3工程とを有することを特徴とするリフトオフ法。

IPC (9)：

G11C 11/14 ,  G03F 7/40 521 ,  G03F 7/42 ,  G11C 11/15 ,  H01L 21/027 ,  H01L 21/306 ,  H01L 27/105 ,  H01L 43/08 ,  H01L 43/12

FI (11)：

G11C 11/14 A ,  G11C 11/14 Z ,  G03F 7/40 521 ,  G03F 7/42 ,  G11C 11/15 ,  H01L 43/08 Z ,  H01L 43/12 ,  H01L 21/30 570 ,  H01L 21/30 572 B ,  H01L 21/306 N ,  H01L 27/10 447

F-Term (13)：

2H096AA25 ,  2H096AA30 ,  2H096HA28 ,  2H096JA04 ,  2H096LA02 ,  5F043AA29 ,  5F043DD19 ,  5F043DD30 ,  5F046LA19 ,  5F046MA07 ,  5F083FZ10 ,  5F083GA27 ,  5F083PR00