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J-GLOBAL ID：200903040117913853

面発光レーザ

Inventor： 小濱 剛孝 ,  中野 好典
Applicant, Patent owner： 日本電信電話株式会社
Agent (1)： 山川 政樹
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991198328
Publication number (International publication number)：1993021898
Application date： Jul. 15, 1991
Publication date： Jan. 29, 1993
Summary：

【要約】【目的】 単一横モードで低しきい値の面発光レーザを得る。【構成】 半導体基板の主面上に直径2aでなる凸状に第1の光反射層,キャビティー層,第2の光反射層を形成した後に凸部の側面に接する第3の半導体によって凸部を埋め込んだ構造を有する面発光レーザにおいて、キャビティー層の屈折率をn<SB>1</SB> ,第3の半導体の屈折率をn<SB>3</SB> 、レーザ発振波長をλ<SB>0</SB> として、0<2πn<SB>1</SB> a(2Δ)<SP>1/2</SP> /λ<SB>0</SB> ≦2.405(ここで、Δ=(n<SB>1</SB><SP>2</SP>-n<SB>3</SB><SP>2</SP>)/2/n<SB>1</SB><SP>2</SP>)の条件を満足する直径2a,屈折率n<SB>1</SB> を選択するようにしたものである。この結果、従来技術のものと比較して単一横モードを満たす高い光閉じ込めを実現し、かつ第3の半導体による埋め込みにより上記面発光レーザにおいて表面再結合が抑制されるため、単一横モードでかつ低しきい値の面発光レーザが得られる。

Claim (excerpt)：

半導体基板の主面上に第1の光反射層,活性層を含むキャビティー層,第2の光反射層の順で積層することによって前記第1及び第2の光反射層から構成される光共振器を用いて前記活性層から放出された光をレーザ発振させるとともに、前記半導体の主面に直径2aでなる凸状に前記第1の光反射層,キャビティー層,第2の光反射層を形成した後に該凸部の側面に接する第3の半導体により該凸部を埋め込むようにした面発光レーザにおいて、前記キャビティー層の屈折率をn<SB>1</SB> ,第3の半導体の屈折率をn<SB>3</SB> ,レーザ発振波長をλ<SB>0</SB> 及びΔ=(n<SB>1</SB><SP>2</SP>-n<SB>3</SB><SP>2</SP>)/2/n<SB>1</SB><SP>2</SP>としたときに、0<2πn<SB>1</SB> a(2Δ)<SP>1/2</SP> /λ<SB>0</SB>≦2.405の条件を満足する直径2a,屈折率n<SB>1</SB> を有することを特徴とする面発光レーザ。