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J-GLOBAL ID：200903040118459650

レーザアニール装置

Inventor： 出野 愼一 ,  桑原 創
Applicant, Patent owner： 日新電機株式会社
Agent (1)： 中沢 謹之助
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991287436
Publication number (International publication number)：1993048190
Application date： Aug. 12, 1991
Publication date： Feb. 26, 1993
Summary：

【要約】【目的】 アニール処理対象の試料に照射されるレーザ光のエネルギを、簡単に設定および変更できるようにすることを目的とする。【構成】 発振出力されるレーザ光のエネルギを一定とするとともに、出力されてくるレーザ光の出力光路上に、透過率の異なる複数の物体を選択的に配置自在とする。物体を透過したレーザ光を試料に照射する。レーザ光のエネルギを変更する場合は、透過率の異なる物体を出力光路に位置させる。

Claim (excerpt)：

発振出力されるレーザ光のエネルギを一定とするとともに、出力されてくるレーザ光の出力光路上に、透過率の異なる複数の物体を選択的に配置自在とし、前記物体を透過したレーザ光をアニール対象の試料に照射するようにしたことを特徴とするレーザアニール装置。

IPC (4)：

H01S 3/104 ,  G02B 26/02 ,  H01L 21/20 ,  H01L 21/268

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

• 特開昭58-023589
  
• 特開昭63-080987