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J-GLOBAL ID：200903040122117194

配線の形成方法

Inventor： 長谷川 利昭
Applicant, Patent owner： ソニー株式会社
Agent (1)： 志賀 富士弥 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991184281
Publication number (International publication number)：1993029470
Application date： Jul. 24, 1991
Publication date： Feb. 05, 1993
Summary：

【要約】【目的】 タングステンプラグと下層配線とのコンタクト抵抗を低く且つ安定にすると共に、タングステンの成長の選択性,成膜速度を向上し、且つ成膜温度を低くして下層配線の信頼性を確保する。【構成】 シリコン基板11上に、順次、SiO2膜,チタン膜13,TiON膜14,WSiX膜15,アルミニウム(Al-1%Si)膜16,反射防止膜17,層間膜18を積層し、WSiX膜15が露出するまで、エッチングを行なって、ビアホール19を開口する。次に、シラン還元法でビアホール19内にタングステンプラグ20を形成する。選択タングステンCVDの条件は、WF6/SiH4/H2/Ar=10/7/1000/15SCCM、温度=260°C、圧力=200mTorrで行なう。下層配線(アルミニウム膜)とタングステンプラグ20との界面には、アルミニウムの弗化物が生成されず、コンタクト抵抗は安定且つ低抵抗化する。

Claim (excerpt)：

アルミニウムを含む金属で形成した下層配線上にコンタクトプラグを選択タングステンCVDで形成する配線の形成方法において、前記下層配線中に、シラン還元反応に際して安定して選択タングステンCVDの成長の核となり得る薄膜を備えることを特徴とする配線の形成方法。

IPC (2)：

H01L 21/90 ,  H01L 21/3205