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J-GLOBAL ID：200903040125280851

半導体ウエーハの製造方法

Inventor： 音川 孝雄 ,  津田 信博 ,  牛尾 聡 ,  竹中 卓夫
Applicant, Patent owner： 信越半導体株式会社
Agent (1)： 荒船 博司 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991289155
Publication number (International publication number)：1993102162
Application date： Oct. 07, 1991
Publication date： Apr. 23, 1993
Summary：

【要約】【目的】 デヌーデッドゾーンに欠陥の存在しないウェーハを提供する。【構成】 チョクラルスキー法による結晶育成の際に、引上げ速度を0.6mm/min.以下にし、結晶中に14〜20ppmaの酸素をドープしたウェーハについて、イントリンシック・ゲッタリング処理を行う。【効果】 デヌーデッドゾーンに欠陥の存在しないDZ層の形成が可能となる。

Claim (excerpt)：

チョクラルスキー法による結晶育成の際に、引上げ速度を0.6mm/min.以下にし、結晶中に14〜20ppmaの酸素をドープしたウェーハについて、イントリンシック・ゲッタリング処理を行うことを特徴とする半導体ウェーハの製造方法。