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J-GLOBAL ID：200903040129770152
半導体装置の製造方法
Inventor：
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Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
鈴江 武彦
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994152133
Publication number (International publication number)：1996017828
Application date： Jul. 04, 1994
Publication date： Jan. 19, 1996
Summary：
【要約】【目的】表面の少なくとも一部にCu膜が露出している状態の半導体基板を加熱処理する際にCu酸化物が形成されることを防止でき、低い抵抗値を有するCu配線を形成し得る半導体装置の製造方法を提供する。【構成】半導体基板10の表面の少なくとも一部にCu膜13を露出させた状態で形成する工程と、この後、上記半導体基板の表面のCu膜を加熱処理する際の雰囲気中における還元性ガスの酸化性ガスに対する分圧比を処理温度に応じて制御した状態で加熱する工程とを具備することを特徴とする。
Claim (excerpt)：
半導体基板の表面の少なくとも一部にCu膜を露出させた状態で形成する工程と、この後、上記半導体基板の表面のCu膜を加熱処理する際の雰囲気中における還元性ガスの酸化性ガスに対する分圧比を処理温度に応じて制御した状態で加熱する工程とを具備することを特徴とする半導体装置の製造方法。
FI (2)：
H01L 21/88 M
, H01L 21/88 B
