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J-GLOBAL ID：200903040134541838

磁気抵抗型センサ

Inventor： サミュエル・ダブリュ・ユーアン ,  フワ-チン・トン ,  フランシス・エイチ・リュウ ,  ミンシェン・タン
Applicant, Patent owner： リード-ライト コーポレーション
Agent (1)： 梅田 明彦
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997246235
Publication number (International publication number)：1998083523
Application date： Aug. 26, 1997
Publication date： Mar. 31, 1998
Summary：

【要約】【解決手段】 2つのピン止め強磁性層29、31を有するスピンバルブ構造において、反強磁性層32、33に隣接して配置された少なくとも1つの磁気バイアス層34、36を使用する巨大磁気抵抗型デュアルスピンバルブセンサ。反強磁性層は、その直近の強磁性層とバイアス層とを同時にピン止めする。【効果】 この構造により、従来のデュアルスピンバルブセンサに存在するバイアス点のずれが解消される。

Claim (excerpt)：

第1、第2及び第3の強磁性材料層からなり、前記第2強磁性材料層が前記第1及び第3強磁性材料層間に配置された積層構造からなる磁気抵抗型センサであって、前記第1及び第3強磁性材料層が、それぞれ非磁性金属層により前記第2強磁性材料層から分離され、前記第1及び第3強磁性材料層の磁化の向きが固定され、前記第2強磁性材料層の磁化の向きが、ゼロ印加磁界において前記第1及び第3強磁性材料層の固定された前記磁化の向きに対して実質的に垂直をなし、かつ少なくとも前記第1又は第3強磁性材料層の一方に隣接して前記センサの迷走磁界を平衡させる磁気バイアス層を備えることを特徴とする磁気抵抗型センサ。