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J-GLOBAL ID：200903040139227317

半導体容量式加速度センサおよびその製造方法

Inventor： 原 鉄三
Applicant, Patent owner： 株式会社村田製作所
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994045793
Publication number (International publication number)：1995254716
Application date： Mar. 16, 1994
Publication date： Oct. 03, 1995
Summary：

【要約】 (修正有)【目的】 電極間隔を極めて狭くして大きな差動出力が得られるようにし、且つ検出感度を高くした半導体容量式加速度センサとその製造方法を提供する。【構成】 半導体表面に設けた溝16の中に、梁で支持された可動電極21となる質量部22を浮いた状態に配置し、溝16の側面および可動電極21間の靜電容量変化を差動によって検知する。半導体表面に形成した溝16の側面および可動電極21の極めて狭い間隔を犠牲層を用いることによって極めて狭く形成する。

Claim (excerpt)：

半導体表面に形成された溝と、該溝内に挿入され梁によって支持され可動電極となる質量部と、溝の側面に形成された固定電極と、該固定電極に接続して基板の絶縁層上に引き出された引出電極とからなり、質量部が溝の中で浮いた状態に配置されたことを特徴とする半導体容量式加速度センサ。

IPC (3)：

H01L 29/84 ,  G01P 15/125 ,  H01L 21/306