Pat
J-GLOBAL ID:200903040142074130

水素貯蔵材料およびその製造方法

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 高山 宏志
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2004186448
Publication number (International publication number):2006008439
Application date: Jun. 24, 2004
Publication date: Jan. 12, 2006
Summary:
【課題】 新規な水素貯蔵材料およびその製造方法を提供する。【解決手段】 水素貯蔵材料は、所定の機械的粉砕処理により微細化されている金属水素化物と金属水酸化物により構成される。これら金属水素化物および金属水酸化物は水素発生反応を促進させる触媒機能物質を担持していることが好ましい。金属水素化物としては水素化リチウムが、金属水酸化物として水酸化リチウムが好適である。【選択図】 なし
Claim (excerpt):
金属水素化物と金属水酸化物により構成され、前記金属水素化物および金属水酸化物は所定の機械的粉砕処理により微細化されていることを特徴とする水素貯蔵材料。
IPC (2):
C01B 3/00 ,  B01J 23/04
FI (2):
C01B3/00 B ,  B01J23/04 M
F-Term (97):
4G069AA02 ,  4G069AA03 ,  4G069AA08 ,  4G069BB02A ,  4G069BB04A ,  4G069BB04B ,  4G069BB19A ,  4G069BB19B ,  4G069BC02A ,  4G069BC03A ,  4G069BC04A ,  4G069BC04B ,  4G069BC09A ,  4G069BC10A ,  4G069BC16A ,  4G069BC31A ,  4G069BC32A ,  4G069BC35A ,  4G069BC42A ,  4G069BC44A ,  4G069BC50A ,  4G069BC51A ,  4G069BC52A ,  4G069BC54A ,  4G069BC55A ,  4G069BC56A ,  4G069BC58A ,  4G069BC59A ,  4G069BC60A ,  4G069BC62A ,  4G069BC66A ,  4G069BC67A ,  4G069BC68A ,  4G069BC70A ,  4G069BC71A ,  4G069BC72A ,  4G069BC74A ,  4G069BC75A ,  4G069BD03A ,  4G069BD04A ,  4G069BD05A ,  4G069CC40 ,  4G069DA05 ,  4G069EA01X ,  4G069EA01Y ,  4G069FA01 ,  4G069FB80 ,  4G140AA23 ,  4G140AA32 ,  4G140AA46 ,  4G169AA02 ,  4G169AA03 ,  4G169AA08 ,  4G169BB02A ,  4G169BB04A ,  4G169BB04B ,  4G169BB19A ,  4G169BB19B ,  4G169BC02A ,  4G169BC03A ,  4G169BC04A ,  4G169BC04B ,  4G169BC09A ,  4G169BC10A ,  4G169BC16A ,  4G169BC31A ,  4G169BC32A ,  4G169BC35A ,  4G169BC42A ,  4G169BC44A ,  4G169BC50A ,  4G169BC51A ,  4G169BC52A ,  4G169BC54A ,  4G169BC55A ,  4G169BC56A ,  4G169BC58A ,  4G169BC59A ,  4G169BC60A ,  4G169BC62A ,  4G169BC66A ,  4G169BC67A ,  4G169BC68A ,  4G169BC70A ,  4G169BC71A ,  4G169BC72A ,  4G169BC74A ,  4G169BC75A ,  4G169BD03A ,  4G169BD04A ,  4G169BD05A ,  4G169CC40 ,  4G169DA05 ,  4G169EA01X ,  4G169EA01Y ,  4G169FA01 ,  4G169FB80
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (3)

Return to Previous Page