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J-GLOBAL ID:200903040142186540

誘電体基板

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 宮▼崎▲ 主税 (外1名)
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1993108447
Publication number (International publication number):1994318769
Application date: May. 10, 1993
Publication date: Nov. 15, 1994
Summary:
【要約】【目的】 共焼結できないため従来実現不可能であると考えられていた比誘電率範囲においても、比誘電率傾斜構造を容易に実現し得る誘電体基板を提供する。【構成】 少なくとも1つの端面1a近傍が、誘電体磁器3と樹脂2との複合体で構成されており、残りの部分が誘電体磁器3から構成されており、上記複合体が、端面1aから基板中央に向かうにつれて連続的に樹脂2の割合が変化するように構成されている誘電体基板。
Claim (excerpt):
少なくとも1つの端部近傍が、誘電体磁器と樹脂との複合体で構成されており、残りの部分が誘電体磁器から構成されており、前記複合体が、基板端面から基板中央に向かうにつれて連続的または段階的に樹脂の割合が変化するように構成されている、比誘電率傾斜型の誘電体基板。
IPC (4):
H05K 1/03 ,  H01B 3/00 ,  H01P 3/08 ,  H01P 11/00
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (5)
  • 特開昭63-206002
  • 特開昭53-099749
  • 特開平2-311004
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