Pat
J-GLOBAL ID:200903040160231944
半導体製造・検査装置用セラミックヒータ
Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1):
安富 康男 (外2名)
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2001124879
Publication number (International publication number):2002319527
Application date: Apr. 23, 2001
Publication date: Oct. 31, 2002
Summary:
【要約】【課題】 半導体製造・検査工程において、半導体ウエハを温度のばらつきが発生せず、均一に加熱することができ、かつ、半導体ウエハを迅速に昇温することが可能である半導体製造・検査装置用セラミックヒータを提供すること。【解決手段】 セラミック基板の表面または内部に抵抗発熱体が形成された半導体製造・検査装置用セラミックヒータであって、上記セラミック基板の少なくとも加熱面側の表面には、平面視円環形状の溝が形成されてなり、上記溝は、円周方向に分割されてなることを特徴とする半導体製造・検査装置用セラミックヒータ。
Claim (excerpt):
セラミック基板の表面または内部に抵抗発熱体が形成された半導体製造・検査装置用セラミックヒータであって、前記セラミック基板の少なくとも加熱面側の表面には、平面視円環形状の溝が形成されてなり、前記溝は、円周方向に分割されてなることを特徴とする半導体製造・検査装置用セラミックヒータ。
IPC (3):
H01L 21/02
, H01L 21/66
, H05B 3/20 393
FI (3):
H01L 21/02 Z
, H01L 21/66 B
, H05B 3/20 393
F-Term (28):
3K034AA02
, 3K034AA08
, 3K034AA10
, 3K034AA15
, 3K034AA16
, 3K034AA19
, 3K034AA34
, 3K034AA37
, 3K034BA02
, 3K034BA13
, 3K034BA17
, 3K034BB06
, 3K034BB14
, 3K034BC04
, 3K034BC12
, 3K034BC16
, 3K034BC27
, 3K034BC29
, 3K034CA02
, 3K034HA01
, 3K034HA10
, 3K034JA10
, 4M106AA01
, 4M106DH44
, 4M106DH46
, 4M106DH60
, 4M106DJ01
, 4M106DJ32
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