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J-GLOBAL ID：200903040165234178

一体型圧力変換器の製造方法および装置

Inventor： ベルナール ディエム ,  マリー - テレーズ ドゥレ
Applicant, Patent owner： コミツサリア タ レネルジー アトミーク
Agent (1)： 浅村 皓 (外3名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993336039
Publication number (International publication number)：1995007160
Application date： Dec. 28, 1993
Publication date： Jan. 10, 1995
Summary：

【要約】 (修正有)【目的】 絶縁体上にシリンダーを配置する方法を使用して圧力変換器またはセンサーを製造する方法、およびこの方法で得られるセンサーまたは変換器の提供。【構成】 局部的に絶縁層でシリコン基体6から間隔を隔てて単結晶シリコン膜を基体上に形成し、絶縁層に達するまでシリコン膜に開口26を形成し、シリコン膜にダイヤフラムを形成するために開口26を経て絶縁層を部分的に除去し、開口26を再シールする。シリコン基体16に対して直角方向に変形可能な単結晶シリコンダイヤフラム8およびこのダイヤフラムの変形を測定する手段を有する感応構造体が組み込まれ、ダイヤフラム8がその周面をエッチングされた絶縁層で基体に結合されており、ダイヤフラム中央に絶縁スタッド24を有し、このスタッドがダイヤフラムの剛性を高めるために基体上に支持されて構成されている。

Claim (excerpt)：

基体と一体の少なくとも1つの変形可能なダイヤフラムと、このダイヤフラムの変形を測定する手段とを有する一体型の圧力変換器の製造方法であって、a) 単結晶シリコン基体(6,6a)の中に酸素イオンを注入し、少なくとも局部的に絶縁層(42,42a)で基体から間隔を隔てて基体上に単結晶シリコン膜(44,44a)を形成するために基体を焼鈍し、b) 絶縁層に達するまでシリコン膜に開口(26,26a)を形成し、c) シリコン膜にダイヤフラムを形成するために前記開口を経て絶縁層を部分的に除去し、d) 前記開口(26,26a)を再シールする段階を含み、また、変形可能なダイヤフラムに面するシリコン基体に少なくとも1つの埋設電極(12,111,113,115)を形成する段階も含み、前記段階が基体の焼鈍に続いて行われることを特徴とする一体型圧力変換器の製造方法。

IPC (2)：

H01L 29/84 ,  G01L 9/04 101