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J-GLOBAL ID：200903040177889722

III 族窒化物半導体装置およびその製造方法

Inventor： 松井 俊之 ,  鈴木 健 ,  大井 明彦 ,  松山 秀昭 ,  上條 洋
Applicant, Patent owner： 富士電機株式会社
Agent (1)： 篠部 正治
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997055590
Publication number (International publication number)：1998242586
Application date： Feb. 24, 1997
Publication date： Sep. 11, 1998
Summary：

【要約】【課題】結晶性の良好なIII 族窒化物半導体装置と亀裂の生じないIII 族窒化物半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】単結晶基板上にGaN またはAlN からなるバッファー層を介してAlx Ga1-x-y Iny N (ただし、 0≦x ≦1 、 0≦y ≦1 、x=y=0 を含む)からなる複数層が積層されてなるIII 族窒化物半導体装置において、前記バッファ層に隣接するAlx Ga1-x-y Iny N 層にカーボン(C) 、ケイ素(Si)、ゲルマニウム(Ge)、酸素(O) の内少なくとも1つ以上からなる第1の不純物と共にマグネシウム(Mg)、カルシウム(Ca)、亜鉛(Zn)、カドミウム(Cd)、水銀(Hg)、硫黄(S) 、もしくはセレン(Se)の内、少なくとも1つ以上からなる第2の不純物を添加する。図1はGaN膜のSEM写真であり、(a)はSiとMgの同時添加、(b)はSiのみの添加の場合である。

Claim (excerpt)：

単結晶基板上にGaNまたはAlNからなるバッファー層を介してAlx Ga1-x-y Iny N(ただし、0≦x≦1、0≦y≦1、x=y=0を含む)からなる複数層が積層されてなるIII 族窒化物半導体装置において、前記バッファ層に隣接するn型のAlx Ga1-x-y Iny N層にはカーボン(C)、ケイ素(Si)、ゲルマニウム(Ge)、酸素(O)の内少なくとも1つ以上からなる第1の不純物と共にマグネシウム(Mg)、カルシウム(Ca)、亜鉛(Zn)、カドミウム(Cd)、水銀(Hg)、硫黄(S)、もしくはセレン(Se)の内、少なくとも1つ以上からなる第2の不純物が添加されていることを特徴とするIII 族窒化物半導体装置。

IPC (4)：

H01S 3/18 ,  H01L 21/203 ,  H01L 33/00 ,  H01L 21/205

FI (4)：

H01S 3/18 ,  H01L 21/203 M ,  H01L 33/00 C ,  H01L 21/205