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J-GLOBAL ID：200903040180506974

光CVD装置

Inventor： 五戸 成史 ,  玉川 孝一 ,  高橋 誠一
Applicant, Patent owner： 日本真空技術株式会社
Agent (1)： 八木田 茂 (外3名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991257985
Publication number (International publication number)：1993198512
Application date： Oct. 04, 1991
Publication date： Aug. 06, 1993
Summary：

【要約】【目的】 反応ガスの流れに対して垂直方向の膜厚分布を自在にコントロールして、低コストの成膜が可能でコンパクトな大口径基板対応光CVD装置をうること。【構成】 処理すべき基板22を収容する反応室21内に、基板22の表面にほぼ平行に反応ガスが流れるように反応ガス導入口23と排出口24を設け、該反応室21と光源室29との間に、多数の小孔30を有する光透過性ガス噴出板27を配置し、光源室29に開口する不活性ガス導入口31より流入する不活性ガスを、該小孔30を通して基板22上の表面に対して垂直方向より導入する。上記反応ガス導入口23の端面に形成されるスリット状の吹出し口25の吹出し幅の垂直方向の厚みを、幅方向(水平方向)に変化させて、反応ガスの流れに対して垂直方向の膜厚分布を自在にコントロールする。

Claim (excerpt)：

基板を収容する反応室と、該反応室内に反応ガスを導入するためのガス導入口及び導入したガスを排気する排気口並びに排気手段と、該反応ガスを光化学反応させ、該基板上に薄膜を形成させるための光源と、該光源を収容する光源室と、該反応室と該光源室の間に、多数の小孔を持った光透過性のガス噴出板を配置し、該反応室内に収容された基板の表面にほぼ平行に該ガス導入口より第1のガス流をシート状に導入し、また該基板上の表面に、この表面に垂直な方向から第2のガス流を、該多数の小孔を持った光透過性のガス噴出板より導入して、該基板の表面の近傍に上記第1のガス流を層流状態に保持するようにした光CVD装置において、上記第1のガス導入口の吹出し幅の厚みを可変にしたことを特徴とする光CVD装置。

IPC (2)：

H01L 21/205 ,  H01L 21/223