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J-GLOBAL ID：200903040205659436

半導体パルスレーザ装置

Inventor： 荒平 慎 ,  大柴 小枝子 ,  小川 洋
Applicant, Patent owner： 沖電気工業株式会社
Agent (1)： 鈴木 敏明
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992297129
Publication number (International publication number)：1994152049
Application date： Nov. 06, 1992
Publication date： May. 31, 1994
Summary：

【要約】【目的】 超短光パルスの繰り返し周波数を高速にする。【構成】 クラッド層2、導波層3、クラッド層4なる構造を2分し、活性領域10に直流バイアスしてレーザ発振の機能をもたせ、ブラッグ領域に回折格子構造を形成して縦モード選択フィルタの機能と可飽和光吸収に基づくモード同期機能をもたせる。光パルスの繰り返し周波数は、光吸収の呼吸係数を加味した実効共振器の長さによって決まり、素子長を短くすることで、高速の繰返し周波数が実現できる。

Claim (excerpt)：

第1クラッド層と第2クラッド層と、両クラッド層の間に介在し、光を発生し且つ増幅し得る導波層と、軸方向で2分した一方の領域に直流電流を注入する電源手段と、軸方向で2分した他方の領域の前記導波層に沿って形成された回折格子構造とを、備えていることを特徴とした半導体レーザ装置。