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J-GLOBAL ID：200903040216262120

半導体発光装置の製造方法

Inventor： 岩本 浩治
Applicant, Patent owner： ソニー株式会社
Agent (1)： 松隈 秀盛
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996350551
Publication number (International publication number)：1998190129
Application date： Dec. 27, 1996
Publication date： Jul. 21, 1998
Summary：

【要約】【課題】 発光効率の低下、動作電流の増加、寿命の低下を回避する。【解決手段】 電流阻止領域を有する半導体発光装置の製造方法において、チャネリング注入によるイオン注入によって高抵抗の電流阻止領域を形成する。

Claim (excerpt)：

電流阻止領域を有する半導体発光装置の製造方法において、上記電流阻止領域をイオン注入による高抵抗化によって形成し、該イオン注入方向を、チャネリング方向に選定したことを特徴とする半導体発光装置の製造方法。