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J-GLOBAL ID：200903040223648115

水素ガス検知素子及びその製造方法

Inventor： 勝木 章 ,  福井 清
Applicant, Patent owner： 新コスモス電機株式会社
Agent (1)： 北村 修一郎
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999091078
Publication number (International publication number)：1999344458
Application date： Mar. 31, 1999
Publication date： Dec. 14, 1999
Summary：

【要約】【課題】 高濃度の水素に暴露されても感度の劣化しにくい水素ガス検知素子を得ること。【解決手段】 貴金属線1を覆って、酸化インジウムを主成分とする半導体から形成される感応層2を設けてあるガス検知素子であって、前記感応層2にランタン、カルシウム、バリウム、ガリウム、アルミニウム、ジルコニウム、イットリウム及びスカンジウムから選ばれる少なくとも一種以上の金属の酸化物を1〜5atm%添加してあるとともに、緻密なシリカ薄膜3を形成してある水素ガス検知素子。

Claim (excerpt)：

貴金属線を覆って、酸化インジウムを主成分とする半導体から形成される感応層を設けてあるガス検知素子であって、前記感応層にランタン、カルシウム、バリウム、ガリウム、アルミニウム、ジルコニウム、イットリウム及びスカンジウムから選ばれる少なくとも一種以上の金属の酸化物を1〜5atm%添加してあるとともに、緻密なシリカ薄膜を形成してある水素ガス検知素子。

FI (2)：

G01N 27/12 B ,  G01N 27/12 C

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 特開平3-223660
  
• 特公昭61-031422
  
• 特開昭63-298149