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J-GLOBAL ID:200903040229649059

情報記録媒体

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 作田 康夫
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2000170413
Publication number (International publication number):2001344807
Application date: Jun. 02, 2000
Publication date: Dec. 14, 2001
Summary:
【要約】【課題】従来より良好な記録・再生・書き換え特性を保持すること。【解決手段】複数の情報記録トラックを備えた基板上に、光の照射によって生じる原子配列変化により情報が記録される情報記録用薄膜を記録層として備え、かつ上記基板と上記記録層との間に少なくとも1層の保護層を備え、記録層の基板とは反対側に、少なくとも1層の吸収率制御層が積層されており、かつ上記記録層と上記吸収率制御層との間に少なくとも1層の熱拡散制御層を備え、上記熱拡散制御層の膜厚の和が上記情報トラック間の段差以上である情報記録媒体において、記録層の組成、膜厚を最適化し、熱拡散制御層の膜厚p、保護層の膜厚q、記録層の膜厚dの関係が q≦p かつ/あるいは q=-5d+a ただし 125≦a≦160 (単位;nm)で表される構成にする。【効果】クロスイレーズを抑制し、消去比を向上させることにより良好な記録・再生・書き換え特性を実現した。
Claim (excerpt):
複数の情報記録トラックを備えた基板上に、光の照射によって生じる原子配列変化により情報が記録される情報記録用薄膜を記録層として備え、かつ上記基板と上記記録層との間に少なくとも1層の保護層を備え、記録層の基板とは反対側に、少なくとも1層の吸収率制御層が積層されており、かつ上記記録層と上記吸収率制御層との間に少なくとも1層の熱拡散制御層を備え、上記熱拡散制御層の膜厚の和が上記情報トラック間の段差以上である情報記録媒体において、記録層が相変化成分と結晶化速度制御成分とからなり、記録層の全原子の95%以上の組成がLを相変化成分、Zを結晶化速度制御成分としたとき、(L)1-s (Z)sで表され、かつ0.21≦s≦0.5を満たし、かつ前記記録層の膜厚が3nm以上10nm以下であり、かつ前記Zは全原子数の95%以上の成分がM-Sb-Te,M-Ge-Te,M-Te(MはCr,Co,Cu,Mn,V,Ni,Mo,W,Ag)のうち少なくとも1つからなることを特徴とする情報記録媒体。
IPC (6):
G11B 7/24 511 ,  G11B 7/24 522 ,  G11B 7/24 535 ,  G11B 7/24 538 ,  G11B 7/24 ,  B41M 5/26
FI (7):
G11B 7/24 511 ,  G11B 7/24 522 A ,  G11B 7/24 535 G ,  G11B 7/24 538 A ,  G11B 7/24 538 E ,  G11B 7/24 538 L ,  B41M 5/26 X
F-Term (22):
2H111EA05 ,  2H111EA12 ,  2H111EA23 ,  2H111EA34 ,  2H111FA11 ,  2H111FA14 ,  2H111FA25 ,  2H111FA27 ,  2H111FA28 ,  2H111FB05 ,  2H111FB09 ,  2H111FB12 ,  2H111FB17 ,  2H111FB22 ,  2H111FB23 ,  5D029JA01 ,  5D029JB35 ,  5D029JC11 ,  5D029LB07 ,  5D029MA02 ,  5D029MA13 ,  5D029MA27

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