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J-GLOBAL ID：200903040241532353
化学的気相成長法及び化学的気相成長装置
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995236247
Publication number (International publication number)：1997077593
Application date： Sep. 14, 1995
Publication date： Mar. 25, 1997
Summary：
【要約】【目的】 微細な陥没部において被覆性よく所望の薄膜が形成できる化学的気相成長法を提供すること。【構成】 化学的原料蒸気A,Bを反応器に輸送し、反応器内の基板もしくはその近傍で化学反応させ、該基板に薄膜を合成する化学的気相成長方法であって、常時昇圧させながら反応器に原料蒸気A,Bを導入する原料供給期間と、原料蒸気A,Bを導入停止し反応器内の残留ガスを排出する真空排気期間との対を一対含む1サイクルを繰り返し行うことによって、所望の膜を合成する。
Claim (excerpt)：
1つまたは複数の化学的原料蒸気を、反応器に輸送し、反応器内の基板もしくはその近傍で化学反応させ、該基板に薄膜を合成する化学的気相成長法において、常時昇圧させながら該反応器に該原料蒸気を導入する原料供給期間と、該原料蒸気を導入停止し反応器内の残留ガスを排出する真空排気期間との対を、一対または数対含む1サイクルを、繰り返し行うことによって、所望の膜を合成することを特徴とする化学的気相成長法。
IPC (6)：
C30B 25/14
, C23C 16/44
, H01L 21/205
, H01L 21/285
, H01L 21/31
, H01L 21/316
C30B 25/14
, C23C 16/44 D
, H01L 21/205
, H01L 21/285 C
, H01L 21/31 B
, H01L 21/316 X
