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J-GLOBAL ID：200903040247338036

熱電変換素子及びその製造方法

Inventor： 瀬知 啓久 ,  田中 広一 ,  田島 健一 ,  西薗 和博
Applicant, Patent owner： 京セラ株式会社
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001020616
Publication number (International publication number)：2002223013
Application date： Jan. 29, 2001
Publication date： Aug. 09, 2002
Summary：

【要約】【課題】熱伝導率及び比抵抗が小さく、性能指数の高い熱電変換素子とそれを低コストで製造する方法を提供する。【解決手段】熱電変換材料からなる結晶を主体とし、相対密度が90〜98%の焼結体であり、該焼結体内に平均径1〜5μmの気孔が分布していることを特徴とし、特に比抵抗が1.0×10-5Ω・m以下及び/又は熱伝導率が1.5W/m・K以下であることが好ましい。

Claim (excerpt)：

熱電変換材料からなる結晶を主体とし、相対密度が90〜98%の焼結体であり、該焼結体内に平均径1〜5μmの気孔が分布していることを特徴とする熱電変換素子。

IPC (2)：

H01L 35/34 ,  H01L 35/16

FI (2)：

H01L 35/34 ,  H01L 35/16