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J-GLOBAL ID：200903040251926511

半導体慣性センサの製造方法

Inventor： 柴谷 博志 ,  村石 賢介
Applicant, Patent owner： 三菱マテリアル株式会社
Agent (1)： 須田 正義
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996344829
Publication number (International publication number)：1998190007
Application date： Dec. 25, 1996
Publication date： Jul. 21, 1998
Summary：

【要約】【課題】 レーザ加工が不要で大量生産に適する、低コストの半導体慣性センサを得る。また寄生容量が低く、高感度で高精度であって寸法精度に優れた半導体慣性センサを得る。【解決手段】 第1シリコンウェーハ21に所定のエッチャントに関して第1シリコンウェーハより高いエッチング速度を有する第2シリコンウェーハ22を貼り合わせる。第1シリコンウェーハを所定の厚さに研磨して単結晶シリコン層24を形成する。単結晶シリコン層24をガラス基板10に接合した後、第2シリコンウェーハをエッチング除去する。残存した単結晶シリコン層を選択的にエッチング除去することにより、ガラス基板上に接合した単結晶シリコンからなる一対の固定電極27,28とこの固定電極に挟まれかつガラス基板の上方に浮動する単結晶シリコンからなる可動電極26とを有する半導体慣性センサ30を得る。

Claim (excerpt)：

第1シリコンウェーハ(21)に所定のエッチャントに関して前記第1シリコンウェーハ(21)より高いエッチング速度を有する第2シリコンウェーハ(22)を貼り合わせて積層体(23)を形成する工程と、前記第1シリコンウェーハ(21)を所定の厚さに研磨して単結晶シリコン層(24)を形成する工程と、前記積層体(23)を前記単結晶シリコン層(24)を介してガラス基板(10)に接合する工程と、前記第2シリコンウェーハ(22)を前記エッチャントでエッチング除去する工程と、残存した前記単結晶シリコン層(24)を選択的にエッチング除去することにより、前記ガラス基板(10)上に接合した単結晶シリコンからなる一対の固定電極(27,28)と前記一対の固定電極(27,28)に挟まれかつ前記ガラス基板(10)の上方に浮動する単結晶シリコンからなる可動電極(26)とを有する半導体慣性センサ(30,60)を得る工程とを含む半導体慣性センサの製造方法。

IPC (4)：

H01L 29/84 ,  G01C 19/56 ,  G01P 9/04 ,  G01P 15/125

FI (4)：

H01L 29/84 Z ,  G01C 19/56 ,  G01P 9/04 ,  G01P 15/125