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J-GLOBAL ID：200903040260926826

酸化膜形成装置

Inventor： 大見 忠弘
Applicant, Patent owner： 大見 忠弘
Agent (1)： 福森 久夫
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991342229
Publication number (International publication number)：1993152282
Application date： Nov. 29, 1991
Publication date： Jun. 18, 1993
Summary：

【要約】【目的】 パーティクルを発生させることなく水素と酸素を反応させて水分を生成させ、この水分により半導体等の表面に酸化膜を形成する酸化膜形成装置を提供すること。【構成】 水素ガス導入口12aに連通させて接続された水素ガス導入管2aと、酸素ガス導入口12bに連通させて接続された酸素ガス導入管12bとを有する酸化膜形成装置において、水素ガス導入管2aの内面を、ニッケル又はニッケルを含む材料より構成し、かつ、水素ガス導入管2aを加熱するための加熱手段9を設けたことを特徴とする。

Claim (excerpt)：

被処理物を搬出入するための開閉可能な開口部とガスを内部に導入するための水素ガス導入口と、酸素ガスを内部に導入するための酸素ガス導入口とを有する炉心管と;該炉心管内部を加熱するための炉心管加熱手段と;該水素ガス導入口に連通させて接続された水素ガス導入管と;該酸素ガス導入口に連通させて接続された酸素ガス導入管と;該水素ガス導入管を加熱するための加熱手段と;を少なくとも有し、該水素ガス導入管の少なくとも内表面がニッケル又はニッケルを含む材料よりなることを特徴とする酸化膜形成装置。